SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 10

Tillämpade filter:

Paket/låda

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Minsta drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

SCT3080ALGC11
ROHM Semiconductor
1: 65,40 kr
971På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT3080ALGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3080ALGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

Läs mer

Datablad

971På lager

65,40 kr

60,60 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030KLGC11
ROHM Semiconductor
1: 588,16 kr
695På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT3030KLGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3030KLGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

Läs mer

Datablad

695På lager

588,16 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC

SCT2H12NZGC11
ROHM Semiconductor
1: 68,67 kr
1 463På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT2H12NZGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT2H12NZGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC

Läs mer

Datablad

1 463På lager

68,67 kr

40,00 kr

36,52 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-3PFM-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

3.7 A

1.5 Ohms

- 6 V, + 22 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
1: 265,63 kr
102På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT3030ALGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3030ALGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

Läs mer

Datablad

102På lager

265,63 kr

199,14 kr

187,15 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
1: 355,99 kr
322På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT3040KLGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3040KLGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

Läs mer

Datablad

322På lager

355,99 kr

279,80 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

SCT3060ALGC11
ROHM Semiconductor
1: 144,64 kr
779På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT3060ALGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3060ALGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

Läs mer

Datablad

779På lager

144,64 kr

85,57 kr

83,82 kr

83,28 kr

82,95 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

78 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

+ 175 C

165 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
1: 185,52 kr
297På lager
900Förväntad 2026-02-24

Tillverk: Artikelnummer
SCT3080KLGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3080KLGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

Läs mer

Datablad

297På lager

900Förväntad 2026-02-24

185,52 kr

126,99 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1: 496,60 kr
6På lager
450Förväntad 2026-06-25

Tillverk: Artikelnummer
SCT3022ALGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3022ALGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

Läs mer

Datablad

6På lager

450Förväntad 2026-06-25

496,60 kr

343,68 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

93 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS

SCT3120ALGC11
ROHM Semiconductor
1: 80,22 kr
92På lager
450Förväntad 2026-05-20

Tillverk: Artikelnummer
SCT3120ALGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3120ALGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS

Läs mer

Datablad

92På lager

450Förväntad 2026-05-20

80,22 kr

46,87 kr

44,69 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

156 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

38 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS

SCT3160KLGC11
ROHM Semiconductor
1: 61,04 kr
23På lager
1 350På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT3160KLGC11

Mouser artikelnummer
755-SCT3160KLGC11

ROHM Semiconductor

SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS

Läs mer

Datablad

23På lager

1 350På beställningen

61,04 kr

52,32 kr

51,23 kr

51,12 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support