Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

CG2H30070F

Name: MACOM CG2H30070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H30070F
Price: 4840.91 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-CG2H30070F

Tillverk: Nr.:

CG2H30070F

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

Datablad:

CG2H30070F Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM CG2H30070F

Leveransavisering:

Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

På lager: 32

Lager:: 32

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 60

Förväntad 2026-03-04
Fabrikens ledtid:: 26

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	4.840,91 kr	4.840,91 kr
	4.233,12 kr	42.331,20 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
Leveransrestriktioner:	Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	440224
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	120 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	12 A
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	- 3.8 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Märke:	MACOM
Utvecklingskit:	CG2H30070F-TB1
Förstärkning:	12.4 dB
Maximal driftsfrekvens:	4 GHz
Minsta driftfrekvens:	0 Hz
Utgångseffekt:	70 W
Förpackning:	Tray
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 10 V, 2 V
Enhetens vikt:	10,466 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CG2H30070F Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.