EPC2102

EPC
65-EPC2102
EPC2102

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 2500   Flera: 500
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 500)
51,56 kr 128.900,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
EPC
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
BGA-75
N-Channel
2 Channel
60 V
30 A
4.9 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
8 nC, 11 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Märke: EPC
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Förpackning: Reel
Produkt: Power Transistor
Produkttyp: GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet: 500
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN
Transistortyp: 2 N-Channel
Typ: Half Bridge
Enhetens vikt: 23 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

USHTS:
8541290040