STL125N8F7AG

STMicroelectronics
511-STL125N8F7AG
STL125N8F7AG

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 955

Lager:
2 955 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 2955 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
29,21 kr 29,21 kr
19,08 kr 190,80 kr
13,19 kr 1.319,00 kr
11,12 kr 5.560,00 kr
10,88 kr 10.880,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
9,40 kr 28.200,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 23 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 39 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 47 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 23 ns
Enhetens vikt: 76 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.