STDRIVEG212QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212QTR
STDRIVEG212QTR

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 613

Lager:
613 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
36,19 kr 36,19 kr
23,98 kr 239,80 kr
21,80 kr 545,00 kr
18,53 kr 1 853,00 kr
17,66 kr 4 415,00 kr
15,81 kr 7 905,00 kr
14,82 kr 14 820,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
12,43 kr 37 290,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Märke: STMicroelectronics
Utvecklingskit: EVLSTDRIVEG212
Maximal förseningstid vid avstängning: 65 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 65 ns
Fuktkänsliga: Yes
Arbetsström: 900 uA
Utgångsspänning: 220 V
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 65 ns
Rds på - Dräneringskällans resistans: 4.8 Ohms
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Handelsnamn: STDRIVE
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.