NXP Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar

Resultat: 20
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Serie Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Isoleringsspänning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
NXP Semiconductors SC900633BEK
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar HV Isolated Gate Driver 42På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Tube
NXP Semiconductors SC900631BEK
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar HV Isolated Gate Driver 42På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 076På lager
704Förväntad 2026-04-27
Min.: 1
Multipla: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 282På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 80På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 58På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 99 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 99 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 176
Multipla: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 176
Multipla: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors SC900631BEKR2
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar HV Isolated Gate Driver Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

Reel
NXP Semiconductors SC900633BEKR2
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar HV Isolated Gate Driver Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

Reel