R1RW0416DGE-2PR#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0416DGE2PRB1
R1RW0416DGE-2PR#B1

Tillverk:

Beskrivning:
SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C

Livscykel:
Utgående:
Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
117,07 kr 117,07 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Renesas Electronics
Produktkategori: SRAM
RoHS-direktivet:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
3.6 V
3 V
130 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
SOJ-44
Tray
Märke: Renesas Electronics
Minnestyp: SRAM
Produkttyp: SRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 18
Underkategori: Memory & Data Storage
Typ: High Speed
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542324500
USHTS:
8542320041
ECCN:
EAR99

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.