R1RW0408DGE-2PI#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PI#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0408DGE2PIB1
Price: 125.68 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

968-R1RW0408DGE2PIB1

Tillverk: Nr.:

R1RW0408DGE-2PI#B1

Tillverk:

Renesas Electronics

Beskrivning:

SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS -40TO85C

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

R1RW0408DGE-2PI#B1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PI#B1

På lager: 101

Lager:: 101 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	125,68 kr	125,68 kr
	125,57 kr	2.762,54 kr
	117,07 kr	12.877,70 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Renesas Electronics
Produktkategori:	SRAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	4 Mbit
Åtkomsttid:	12 ns
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Minimal matningsspänning:	3 V
Strömstyrka - Max:	100 mA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOJ-36
Förpackning:	Tray
Märke:	Renesas Electronics
Minnestyp:	SRAM
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	SRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	22
Underkategori:	Memory & Data Storage
Typ:	High Speed

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

R1RW0408DGE-2PI#B1 Datablad

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-2-1 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542324500
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.