QPA2935EVB

Qorvo
772-QPA2935EVB
QPA2935EVB

Tillverk:

Beskrivning:
RF-utvecklingsverktyg 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM

Produkten är endast tillgänglig för OEM/EMS-kunder och kunder inom konstruktionsverksamhet. Produkten levereras inte till konsumenter inom EU eller Storbritannien.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
2
Förväntad 2026-06-09
Fabrikens ledtid:
16
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
10 594,80 kr 10 594,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: RF-utvecklingsverktyg
Leveransrestriktioner:
 Produkten är endast tillgänglig för OEM/EMS-kunder och kunder inom konstruktionsverksamhet. Produkten levereras inte till konsumenter inom EU eller Storbritannien.
RoHS-direktivet:  
Evaluation Boards
RF Amplifier
QPA2935, QPA2935TR7
2.7 GHz to 3.5 GHz
Märke: Qorvo
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: US
För användning med: 2 Watt S-Band GaN Driver Amplifier
Förpackning: Bag
Produkttyp: RF Development Tools
Serie: QPA2935
Fabriksförpackningskvantitet: 1
Underkategori: Development Tools
Del # Alias: QPA2935
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPA2935EVB Evaluation Board

Qorvo QPA2935EVB Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier. The QPA2935 operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.