CoolSIC SiC-MOSFET:ar

Resultat: 5
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datablad
909På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datablad
599På lager
960Förväntad 2026-03-02
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datablad
128På lager
480Förväntad 2026-12-10
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datablad
10På lager
1 440På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datablad
4 353Förväntad 2026-07-02
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC