Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPTC007N06NM5ATMA1

Name: Infineon IPTC007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TC007N06NM5ATMA1
Price: 65.4 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-TC007N06NM5ATMA1

Tillverk: Nr.:

IPTC007N06NM5ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er IFX FET 60V

Datablad:

IPTC007N06NM5ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPTC007N06NM5ATMA1

På lager: 2 498

Lager:: 2 498 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	65,40 kr	65,40 kr
	44,36 kr	443,60 kr
	33,03 kr	3 303,00 kr
	30,30 kr	30 300,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1800)
	28,01 kr	50 418,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HDSOP-16
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	454 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	750 uOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.1 V
Qg - Gate-laddning:	209 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	375 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	22 ns
Transkonduktans framåt - Min:	330 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	18 ns
Serie:	IPTC007N06
Fabriksförpackningskvantitet:	1800
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	76 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	38 ns
Del # Alias:	IPTC007N06NM5 SP005753483

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPTC007N06NM5ATMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Power MOSFET-enheter

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
Learn More