Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SQJQ112E-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJQ112E-T1_GE3
Price: 43.27 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SQJQ112E-T1_GE3

Tillverk: Nr.:

SQJQ112E-T1_GE3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Datablad:

SQJQ112E-T1_GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors SQJQ112E-T1_GE3

På lager: 10 735

Lager:: 10 735 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 4 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	43,27 kr	43,27 kr
	28,56 kr	285,60 kr
	20,38 kr	2.038,00 kr
	18,97 kr	9.485,00 kr
	17,66 kr	17.660,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	16,02 kr	32.040,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK 8 x 8L-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	296 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.53 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	181 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	600 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Falltid:	16 ns
Transkonduktans framåt - Min:	45 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	21 ns
Serie:	SQJQ
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	67 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	21 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SQJQ112E-T1_GE3 Datablad

Technical Resources

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SQJQ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs are N-Channel TrenchFET® power MOSFETs. These AEC-Q101-qualified MOSFETs are tested at 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within -55°C to +175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a fully lead (Pb) free PowerPAK® 8x8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives/actuators, body systems, and battery management.