Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RQ3N025ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3N025ATTB1
Price: 11.66 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RQ3N025ATTB1

Tillverk: Nr.:

RQ3N025ATTB1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RQ3N025ATTB1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1

På lager: 2 320

Lager:: 2 320 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	11,66 kr	11,66 kr
	7,31 kr	73,10 kr
	4,82 kr	482,00 kr
	3,75 kr	1.875,00 kr
	3,40 kr	3.400,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,96 kr	8.880,00 kr
	2,75 kr	16.500,00 kr
	2,65 kr	23.850,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSMT-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	7 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	240 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	13 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	14 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	15 ns
Transkonduktans framåt - Min:	2.4 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6.4 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	50 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8.6 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RQ3N025ATTB1 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQxAT P-Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor RQxAT P-Channel features surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested. These P-channel MOSFETs offer a gate-source voltage of ±20V. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs feature a maximum drain-source ON resistance of 240mΩ and 99mΩ, respectively. These P-channel MOSFETs are RoHS compliant and halogen-free. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs offer a drain-source voltage of -80V and -60V, respectively. These P-channel MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching and motor drives.