ISC030N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC030N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC030N12NM6ATMA
Price: 47.42 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-ISC030N12NM6ATMA

Tillverk: Nr.:

ISC030N12NM6ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er IFX FET >100-150V

Datablad:

ISC030N12NM6ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies ISC030N12NM6ATMA1

På lager: 2 215

Lager:: 2 215

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 5 000

Förväntad 2026-07-02
Fabrikens ledtid:: 52

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	47,42 kr	47,42 kr
	30,96 kr	309,60 kr
	25,83 kr	2.583,00 kr
	25,18 kr	12.590,00 kr
	25,07 kr	25.070,00 kr
	24,96 kr	62.400,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	19,40 kr	97.000,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TSON-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	120 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	194 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.6 V
Qg - Gate-laddning:	59 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	250 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Falltid:	8.8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	55 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	7.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	12 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Del # Alias:	ISC030N12NM6 SP005578327

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

ISC030N12NM6ATMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad R_DS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.