Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IMT40R011M2HXTMA1

Name: Infineon IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT40R011M2HXTMA
Price: 142.14 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IMT40R011M2HXTMA

Tillverk: Nr.:

IMT40R011M2HXTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IMT40R011M2HXTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IMT40R011M2HXTMA1

På lager: 996

Lager:: 996 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	142,14 kr	142,14 kr
	109,98 kr	1.099,80 kr
	101,81 kr	10.181,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	89,16 kr	178.320,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSOF-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	400 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	144 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	16.3 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	85 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	429 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	9.3 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	18.3 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typ:	G2 MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	29.8 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15.8 ns
Del # Alias:	IMT40R011M2H SP005915790

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IMT40R011M2HXTMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.