Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IGLD65R110D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R110D2AUMA
Price: 41.86 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IGLD65R110D2AUMA

Tillverk: Nr.:

IGLD65R110D2AUMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IGLD65R110D2AUMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IGLD65R110D2AUMA1

På lager: 2 696

Lager:: 2 696 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	41,86 kr	41,86 kr
	27,90 kr	279,00 kr
	21,47 kr	2.147,00 kr
	19,08 kr	9.540,00 kr
	18,09 kr	18.090,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	15,48 kr	46.440,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PG-LSON-8
Transistorns polaritet:	HEMT
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	20 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	140 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	2.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	51 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolGaN
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	20 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	GaN Transistors
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	7 ns
Serie:	650 V G5
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	10 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns
Del # Alias:	IGLD65R110D2 SP005918714

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IGLD65R110D2AUMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.