1ED21271S65FXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED21271S65FXUMA
1ED21271S65FXUMA1

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter 650V high-side gate driver

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 373

Lager:
2 373 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
21,80 kr 21,80 kr
14,06 kr 140,60 kr
12,54 kr 313,50 kr
10,41 kr 1.041,00 kr
9,74 kr 2.435,00 kr
8,51 kr 4.255,00 kr
7,40 kr 7.400,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
6,73 kr 16.825,00 kr
6,41 kr 48.075,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
PG-DSO-8
1 Driver
1 Output
4 A
25 V
Inverting
12 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Märke: Infineon Technologies
Maximal förseningstid vid avstängning: 80 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 80 ns
Fuktkänsliga: Yes
Arbetsström: 270 uA
Utgångsspänning: 460 mV
Pd - Effektavledning: 625 mW
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 410 ns
Rds på - Dräneringskällans resistans: 50 Ohms
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: Si
Handelsnamn: EiceDRIVER
Del # Alias: 1ED21271S65F SP005826767
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V High-Side Gate Drivers

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V High-Side Gate Drivers are designed to provide robust and efficient control for high-voltage power transistors. These Infineon gate drivers feature a high-side driver architecture that supports a wide range of applications, including motor drives, solar inverters, and industrial power supplies. With a maximum voltage rating of 650V, the 1ED21x7x series ensures reliable operation in demanding environments. Key features include integrated bootstrap diodes, fast switching capabilities, and comprehensive protection mechanisms such as undervoltage lockout (UVLO) and overcurrent protection. These attributes make the EiceDRIVER™ 1ED21x7x series an ideal choice for enhancing the performance and reliability of high-voltage power systems.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.