SCTWA70N120G2V-4

Name: STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA70N120G2V-4
Price: 276.64 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCTWA70N120G2V-4

Tillverk: Nr.:

SCTWA70N120G2V-4

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

Komplettera din design

Datablad:

SCTWA70N120G2V-4 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4

På lager: 28

Lager:: 28 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 28 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	276,64 kr	276,64 kr
	201,76 kr	2.017,60 kr

Liknande produkt

Tillverk:

STMicroelectronics

Tillverk: Nr.:

SCT020W120G3-4AG

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Livscykel:

Ny produkt: Nytt från denna tillverkare.

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	HIP247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	91 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	30 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.45 V
Qg - Gate-laddning:	150 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 200 C
Pd - Effektavledning:	547 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	18 ns
Förpackning:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	9 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	36 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15.5 ns