HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultat: 720
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er 24 Amps 800V 0.4 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 100 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 600V 26A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 500V 30A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 44 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 44 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 600V 30A
Datablad
Ej på lager
Min.: 90
Multipla: 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO268 850V 30A N-CH XCLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 600V 36A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 44 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 93 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 44 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 50 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 65 nC 690 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er PolarP2 Power MOSFET
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 960 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/60A TO-268HV
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 69 Amps 300V 0.049 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er HiPerFET Power MOSFET Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si SMD/SMT TO-268-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er IXFT80N65X2HV TRL
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 400
Multipla: 400
Papprulle: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC 890 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET:er TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Trench HiperFET Power MOSFET Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si SMD/SMT TO-268-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 300V 88A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 120V 300V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 140A 250V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 140 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Polar HiperFET Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 170A 200V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A HiPerFET Tube