HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultat: 720
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC 1.04 mW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 54 Amps 300V 0.033 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 60 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 16 Amps 1200V 1 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 65 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 9 A 1.04 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Polar HiperFET Power MOSFET Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 180 Amps 70V 0.006 Rds
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 94 Amps 150V 0.011 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 10.5 A 660 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 133 Amps 100V 0.0075 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 26 Amps 1200V 1 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 49 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 630 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 10 Amps 800V 0.5 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 570 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er GigaMOS Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 156 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 14 Amps 800V 0.42 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 900 V 13 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 58 nC - 55 C + 150 C 230 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 197 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 32 Amps 1200V 0.46 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 65 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 600V 30A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 32 Amps 1000V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 35 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 340 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 36 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 23 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 20 Amps 800V 0.29 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 600V 20A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 21 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube