HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultat: 720
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er 600V 7A
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 600 V 7 A 1.15 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 7 Amps 800V 1.44 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/8A TO-263
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Polar Power MOSFET HiPerFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 170 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 258 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 210 Amps 200V 0.0105 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 44 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 210 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 1.5 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 279 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.1 kV 40 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 310 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NChHiPerFET-Q3 Class TO-264(3)
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.1 kV 40 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 900 V 52 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 308 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 62 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 270 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 70 A 89 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 1.785 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 82 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 82 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 275 nC 1.56 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 850V/90A Ultra Junction X-Class
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 340 nC - 55 C + 150 C 1.785 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 100 Amps 250V 0.027 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 102 Amps 0V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 110 Amps 150V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 110 Amps 0V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 157 nC - 55 C + 175 C 694 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Trench HiperFETs Power MOSFET:er
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/12A TO-247
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er DIODE Id12 BVdass800
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 29 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 850 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube