HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultat: 720
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn Förpackning
IXYS MOSFET:er Polar3 HiPerFET Power MOSFET 450Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 63 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 267 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/12A OVERMOLDED TO-220 500Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 600V 16A N-CH POLAR 800Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 470 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 4 Amps 1000V 400Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET 600Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET 840Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET 420Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET 420Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET 780Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC 1.04 mW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO268 850V 30A N-CH XCLASS 1 320Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/60A TO-268HV 780Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 27 Amps 800V 0.32 Rds 750Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 450Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 32 Amps 800V 0.27 Rds 720Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 600V 44A 300Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 600V 48A 840Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO252 850V 4A N-CH XCLASS 1 610Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 130 Amps 100V 8.5 Rds 750Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 220 Amps 40V 0.0035 Rds 50Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 220 Amps 40V 0.0035 Rds 1 200Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 80 Amps 100V 13.0 Rds 450Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 105 V 80 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 86 Amps 200V 29 Rds 650Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 480 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO247 650V 12A N-CH X2CLASS 1 470Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 130 Amps 100V 8.5 Rds 420Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 102 Amps 150V 18 Rds 300Tillgänglig mängd i lager
Min.: 300
Multipla: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube