Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVH4L015N065SC1

Name: onsemi NVH4L015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L015N065SC1
Price: 295.61 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVH4L015N065SC1

Tillverk: Nr.:

NVH4L015N065SC1

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-4L

Datablad:

NVH4L015N065SC1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVH4L015N065SC1

På lager: 384

Lager:: 384 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	295,61 kr	295,61 kr
	264,00 kr	2.640,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Paket/låda:	TO-247-4
Handelsnamn:	EliteSiC
Märke:	onsemi
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Serie:	NVH4L015N065SC1
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVH4L015N065SC1 Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NVH4L015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L015N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.