Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NTPF360N80S3Z

Name: onsemi NTPF360N80S3Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTPF360N80S3Z
Price: 42.4 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTPF360N80S3Z

Tillverk: Nr.:

NTPF360N80S3Z

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er SF3 800V 360MOHM TO-220F

Datablad:

NTPF360N80S3Z Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTPF360N80S3Z

På lager: 736

Lager:: 736 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 736 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	42,40 kr	42,40 kr
	21,80 kr	218,00 kr
	17,11 kr	1 711,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	800 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	13 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	360 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.8 V
Qg - Gate-laddning:	25.3 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	31 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	NTPF360N80S3Z
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTPF360N80S3Z Datablad

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTPF360N80S3Z N-Channel SUPERFET® III MOSFET

onsemi NTPF360N80S3Z N-Channel SUPERFET® III is a high-performance power MOSFET with an 800V breakdown voltage. This SUPERFET is optimized for the primary switch of a flyback converter and enables lower switching losses and case temperature without sacrificing EMI performance. onsemi NTPF360N80S3Z SUPERFET comes with an internal Zener diode that significantly improves the electrostatic discharge (ESD) capability. Typical applications include adapters/chargers, LED lighting, AUX power, audio, and industrial power.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.