SICWx kiselkarbid (SiC) MOSFET-enheter

Micro Commercial Components (MCC) SICWx kiselkarbid (SiC) MOSFET-enheter är höghastighetsväxlande 650 V SiC-MOSFET-enheter. MOSFET-enheterna använder SiC MOSFET-teknik och är väl lämpade för högspänningstillämpningar, vilket ger tillförlitlig drift i tuffa industriella miljöer. SICWx MOSFET-enheterna är utformade med låg RDS (on) och låg gate-laddning för att minska switchförluster och bidra till högre övergripande systemeffektivitet. Den effektivitetsförstärkande utformningen och TO-247-kapslingen ger överlägsen värmeprestanda, medan alternativen med 3 eller 4-stift (Kelvin-källstift) ökar mångsidigheten. SICWx MOSFET-enheterna är tillverkade i en robust design och avalanche-kompatibla, vilket möjliggör bättre värmehantering och effektivitet. MOSFET-enheterna används idealiskt i strömförsörjningar, telekommunikation, system för förnybar energi och motordrivenheter.

Resultat: 6
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET,TO-247-4
Datablad
360På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET,TO-247AB
Datablad
177På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET,TO-247AB
Datablad
336På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET,TO-247-4
Datablad
355På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET,TO-247AB
Datablad
337På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET,TO-247-4
Datablad
360På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement