SIA469DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIA469DJ-T1-GE3
SIA469DJ-T1-GE3

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 102 985

Lager:
102 985 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
28 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
5,53 kr 5,53 kr
3,42 kr 34,20 kr
2,19 kr 219,00 kr
1,65 kr 825,00 kr
1,46 kr 1.460,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
1,25 kr 3.750,00 kr
1,14 kr 6.840,00 kr
0,981 kr 8.829,00 kr
0,959 kr 23.016,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
30 V
12 A
21 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
15.6 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Falltid: 15 ns
Transkonduktans framåt - Min: 15 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 17 ns
Serie: SIA
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 30 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 7 ns
Enhetens vikt: 45,597 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET provides low on-resistance in a single-configuration PowerPAK® SC-70 package size. The SiA469DJ MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET is RoHS compliant and halogen free. Typical applications include load switches, DC/DC converters, high-speed switching, and power management in battery-operated, mobile, and wearable devices.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.