CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

Typer av Transistorer
Ändra kategorivy
Resultat: 8
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS Produkttyp
Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar AUTOMOTIVE_SICMOS
Datablad
333På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar AUTOMOTIVE_SICMOS
Datablad
131På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar AUTOMOTIVE_SICMOS
Datablad
226På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar AUTOMOTIVE_SICMOS
Datablad
191På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar AUTOMOTIVE_SICMOS
Datablad
288På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET:er AUTOMOTIVE_SICMOS
Datablad
240Förväntad 2026-05-28
Min.: 1
Multipla: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar AUTOMOTIVE_SICMOS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar AUTOMOTIVE_SICMOS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel