RV7E035ATTCR1

ROHM Semiconductor
755-RV7E035ATTCR1
RV7E035ATTCR1

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 669

Lager:
2 669 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
7,50 kr 7,50 kr
4,63 kr 46,30 kr
3,05 kr 305,00 kr
2,40 kr 1.200,00 kr
2,05 kr 2.050,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
1,71 kr 5.130,00 kr
1,56 kr 9.360,00 kr
1,44 kr 12.960,00 kr
1,41 kr 33.840,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: MOSFET:er
Si
SMD/SMT
DFN1212-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.5 A
78 mOhms
20 V
2.5 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Märke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Falltid: 8.5 ns
Transkonduktans framåt - Min: 2.5 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 9 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 28 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 8 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET is a compact, high-performance device designed for low-voltage switching applications. Housed in a space-saving TUMT3 package, the RV7E035AT offers excellent switching characteristics and low on-resistance, making it ideal for portable and battery-powered electronics. This MOSFET features a drain-source voltage (VDS) of -30V, a continuous drain current (ID) of -3.5A, and a low on-resistance [RDS(on)] of just 47mΩ at VGS = -4.5V, ensuring efficient power management and minimal heat generation. The ROHM Semiconductor RV7E035AT is optimized for high-speed switching and is well-suited for load switching, DC-DC converters, and power management circuits in compact electronic devices. A robust design and thermal efficiency also support reliable operation in demanding environments.