Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

STP50N60DM6

Name: STMicroelectronics STP50N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP50N60DM6
Price: 57.99 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP50N60DM6

Tillverk: Nr.:

STP50N60DM6

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

Komplettera din design

Datablad:

STP50N60DM6 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STP50N60DM6

På lager: 209

Lager:: 209 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	57,99 kr	57,99 kr
	33,03 kr	330,30 kr
	30,30 kr	3 030,00 kr
	27,90 kr	13 950,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	36 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.75 V
Qg - Gate-laddning:	55 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	250 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkttyp:	MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STP50N60DM6 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET is a high-voltage N-channel power MOSFET with extremely high dv/dt ruggedness. This power MOSFET is a fast-recovery body diode that is Zener-protected and 100% avalanche-tested. The STMicroelectronics STP50N60DM6 power MOSFET offers low gate charge, low input capacitance, low resistance, and lower R_DS(on) per area compared to the previous generation. This MOSFET combines very low recovery charge (Q_rr), recovery time (t_rr), and excellent improvement in R_DS(on) per area with one of the most effective switching behavior. The STP50N60DM6 MDmesh DM6 power MOSFET is ideal for switching applications.