1EDB7275FXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDB7275FXUMA1
1EDB7275FXUMA1

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter ISOLATED DRIVER

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 6 782

Lager:
6 782
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
5 000
Förväntad 2026-07-02
Fabrikens ledtid:
39
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
16,79 kr 16,79 kr
12,32 kr 123,20 kr
11,12 kr 278,00 kr
9,94 kr 994,00 kr
9,29 kr 2.322,50 kr
7,44 kr 3.720,00 kr
6,93 kr 6.930,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
6,69 kr 16.725,00 kr
6,61 kr 49.575,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
9.8 A
3 V
15 V
8.3 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Infineon Technologies
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Handelsnamn: EiceDRIVER
Del # Alias: 1EDB7275F SP005351350
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

Infineon EiceDRIVER™ Isolated and Non-Isolated Gate Drivers provide optimized low- and high-voltage gate driver solutions for MOSFETs, IGBTs, and IGBT modules. These isolated and non-isolated gate driver ICs are designed to build reliable and efficient applications. An optimum gate drive configuration is essential for all power switches, whether they are in discrete form or in a power module. Infineon gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A, suitable for any power device size.

CoolGaN™ Gallium-nitrid-HEMT:er

Infineon CoolGaN™ Nitrid-HEMT:er erbjuder utmärkta fördelar som t.ex. effektivitet, tillförlitlighet, effektdensitet och högsta kvalitet över kisel. CoolGaN-transistorerna är byggda med den mest tillförlitliga tekniken, utformad för högsta effektivitet och effektdensitet i strömförsörjningar med kopplingsläge. Enheterna arbetar på liknande sätt som kisel-MOSFET:ar med förspänning till gate-drivenhet i förstärkningsläge genom att använda en P-GaN gate-struktur.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.