1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs are 1200V, 80mΩ MOSFETs that provide superior switching performance and high reliability. These MOSFETs offer low ON resistance and come in compact chip sizes, ensuring low capacitance and gate charge. The EliteSiC N-Channel MOSFETs feature high efficiency, fast operation frequency, high-speed switching, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs come in TO247-3L/TO247-3LD packages. The NVHL080N120SC1 and NVHL080N120SC1A MOSFETs are qualified for automotive according to AEC-Q101 grade certification.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1 182På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1Tillgänglig mängd i lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC