S80KS2562 & S80KS2563 256Mb HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS2562 and S80KS2563 HYPERRAM™ 2.0 Memory are high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) with a HyperBUS (S80KS2562) or Octal xSPI (S80KS2563) interface. Both devices feature a 200MHz maximum clock rate, a data throughput of up to 400MBps, and energy-saving Hybrid Sleep and Deep Power-Down modes. The S80KS2562 and S80KS2563 HYPERRAM are ideal for use in high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes.

Resultat: 6
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Typ Minnesstorlek Databussbredd Maximal klockfrekvens Paket/låda Organisation Åtkomsttid Minimal matningsspänning Maximal matningsspänning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
Infineon Technologies S80KS2563GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 186På lager
Min.: 1
Multipla: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 380På lager
Min.: 1
Multipla: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 303På lager
Min.: 1
Multipla: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 9På lager
338Förväntad 2026-03-12
Min.: 1
Multipla: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
520Förväntad 2026-02-23
Min.: 1
Multipla: 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 676
Multipla: 676

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray