SCT4036KW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4036KW7TL
SCT4036KW7TL

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-MOSFET:ar TO263 1.2KV 40A N-CH SIC

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 690

Lager:
690 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 690 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
150,64 kr 150,64 kr
120,88 kr 1.208,80 kr
105,95 kr 10.595,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
102,79 kr 102.790,00 kr
2 000 Beräkning
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
40 A
47 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
91 nC
+ 175 C
150 W
Enhancement
Märke: ROHM Semiconductor
Överensstämmelse: Done
Konfiguration: Single
Falltid: 9.6 ns
Transkonduktans framåt - Min: 11 S
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Förpackning: MouseReel
Produkt: MOSFET's
Produkttyp: SiC MOSFETS
Stigtid: 15 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Teknologi: SiC
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 29 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 8.1 ns
Del # Alias: SCT4036KW7
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4036KW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4036KW7 N-Ch SiC power MOSFET is a 1200V, 36mΩ MOSFET in a TO-263-7L package. The SCT4036KW7 is simple to drive and easy to parallel with fast reverse recovery. The SCT4036KW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.