IXFH60N65X2-4 & IXFH80N65X2-4 X2-Class MOSFETs

IXYS IXFH60N65X2-4 and IXFH80N65X2-4 X2-Class Discrete MOSFETs offer low drain-source resistance (38mΩ or 52mΩ) and low gate charge in an avalanche-rated international standard package. The IXYS IXFH60N65X2-4 and IXFH80N65X2-4 X2-Class Discrete MOSFETs also feature low package inductance and a 650V drain-source breakdown voltage. Applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, and more.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er 650V/80A TO-247-4L
Datablad
509På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/60A TO-247-4L
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube