TGF297x GaN RF Transistors

Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz and offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at a high drain bias operation. Qorvo TGF297x GaN RF Transistors are ideal for military radar and commercial radar including avionics, marine, and weather.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning
Qorvo GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB 305På lager
700På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 50
Multipla: 50

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 25
Multipla: 25

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W