SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 91.23 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SGT65R65AL

Tillverk: Nr.:

SGT65R65AL

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Komplettera din design

Datablad:

SGT65R65AL Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SGT65R65AL

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 62 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	91,23 kr	91,23 kr
	63,11 kr	631,10 kr
	51,34 kr	5.134,00 kr
	51,01 kr	25.505,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	44,25 kr	132.750,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerFLAT-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	25 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	65 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	+ 6 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V
Qg - Gate-laddning:	5.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	305 W
Märke:	STMicroelectronics
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	SGT
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN-on-Si
Transistortyp:	E-Mode
Typ:	RF Power MOSFET
Enhetens vikt:	76 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SGT65R65AL Datablad (PDF)

Application Notes

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.