HMC8500 RF Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC8500 RF Amplifiers are gallium nitride (GaN), broadband power amplifiers. The amplifiers deliver >10W with up to 55% power added efficiency (PAE) and ±1.0dB typical gain flatness across a 0.01GHz to 2.8GHz instantaneous bandwidth. The HMC8500 series provides a 41dBm high-saturated output power from a 28V at 100mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a 4.5dB noise figure, 47dBM third-order intercept (OIP3), and 10dB return loss.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Manövreringsfrekvens
Driftspänning
Arbetsström
Förstärkning
NF - brustal
Typ
Monteringsstil
Paket/låda
Teknologi
OIP3 - Skärningspunkt för tredje ordern
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Serie
Förpackning
Analog Devices RF-förstärkare High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Datablad
Ledtid 10 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Cut Tape
Analog Devices RF-förstärkare High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 10 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500
Papprulle: 500

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Reel