Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 65.18 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

Tillverk: Nr.:

NVBLS1D7N10MCTXG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er PTNG 100V STD TOLL

Datablad:

NVBLS1D7N10MCTXG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVBLS1D7N10MCTXG

På lager: 1 737

Lager:: 1 737 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	65,18 kr	65,18 kr
	45,24 kr	452,40 kr
	33,79 kr	3.379,00 kr
	33,68 kr	33.680,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	28,78 kr	57.560,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H-PSOF-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	265 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	115 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	303 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerTrench
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	31 ns
Transkonduktans framåt - Min:	220 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	38 ns
Serie:	NVBLS1D7N10MC
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	76 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	48 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVBLS1D7N10MCTXG Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench^® MOSFET supplies a high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D7N10MCTXG is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.