Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVMJST1D3N04CTXG

Name: onsemi NVMJST1D3N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJST1D3N04CTXG
Price: 25.4 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVMJST1D3N04CTXG

Tillverk: Nr.:

NVMJST1D3N04CTXG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

Datablad:

NVMJST1D3N04CTXG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMJST1D3N04CTXG

På lager: 2 415

Lager:: 2 415 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	25,40 kr	25,40 kr
	17,33 kr	173,30 kr
	14,72 kr	1 472,00 kr
	14,17 kr	7 085,00 kr
	13,84 kr	13 840,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	13,84 kr	41 520,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TCPAK-10
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	386 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.39 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	65 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	375 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Falltid:	9 ns
Transkonduktans framåt - Min:	145 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	47 ns
Serie:	NVMJST1D3N04C
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	36 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMJST1D3N04CTXG Datablad

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMJST1D3N04C Power N-Ch MOSFET

onsemi NVMJST1D3N04C Power N-Ch MOSFET is available in a TCPAK5x7 package for compact, efficient designs and high thermal performance. The NVMJST1D3N04C is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The onsemi NVMJST1D3N04C MOSFET is ideal for automotive applications requiring enhanced board-level reliability.