Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IMZA65R083M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R083M1HXKS
Price: 64.96 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IMZA65R083M1HXKS

Tillverk: Nr.:

IMZA65R083M1HXKSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET

Datablad:

IMZA65R083M1HXKSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IMZA65R083M1HXKSA1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	64,96 kr	64,96 kr
	49,81 kr	498,10 kr
	31,28 kr	3.128,00 kr
	28,78 kr	13.814,40 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	26 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	111 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.7 V
Qg - Gate-laddning:	19 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	104 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Infineon Technologies
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Fabriksförpackningskvantitet:	240
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Del # Alias:	IMZA65R083M1H SP005423798

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IMZA65R083M1HXKSA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.