MTFC128GAVATTC-AIT

Micron
340-458156-TRAY
MTFC128GAVATTC-AIT

Tillverk:

Beskrivning:
Universell flash-lagring (UFS) UFS 1Tbit 153/196 LFBGA IT

Livscykel:
Verifiera statusen med fabriken:
Informationen om livscykel är oklar. Erhåll ett anbud för att verifiera tillgängligheten för detta artikelnummer från tillverkaren.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 430

Lager:
430 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
53 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 430 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 430
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
418,02 kr 418,02 kr
415,29 kr 4.152,90 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Micron Technology
Produktkategori: Universell flash-lagring (UFS)
RoHS-direktivet:  
128 GB
TLC
3.3 V
UFS 3.1
- 40 C
+ 95 C
LFBGA-153
13 mm x 11.5 mm x 1.3 mm
Tray
Applikation: Industrial
Märke: Micron
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkt: Universal Flash Storage - UFS
Produkttyp: Universal Flash Storage (UFS)
Fabriksförpackningskvantitet: 1520
Maximal matningsspänning: 3.3 V
Minimal matningsspänning: 3.3 V
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

176-Layer NAND Universal Flash Storage (UFS) 3.1

Micron 176-Layer NAND Universal Flash Storage (UFS) 3.1 is a lighting-fast Flash memory solution based on 3D Replacement Gate technology, optimized for high-end and flagship phones. The 175-layer UFS 3.1 unlocks 5G's potential with up to 75% faster sequential write and random read performance than the prior 96-layer generation, enabling downloads of two-hour 4K movies in as little as 9.6s. Micron 176-layer UFS 3.1 features a compact design ideal for the high capacity, small form factors required in mobile devices. Micron 176-layer NAND UFS 3.1 is offered in 128GB, 256GB, 512GB, 1TB, and 2TB capacities.