NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V. onsemi NVH4L050N170M1 MOSFETs are optimized for a 20V gate drive. The devices also function effectively with an 18V gate drive, featuring a negative gate voltage drive and reduced turn-off spikes. These devices offer ultra-low total gate charge (105nC), high-speed switching with low capacitance (Coss = 98pF), and 100% avalanche testing for reliability.

INGA RESULTAT HITTADES..
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Sökförslag
  • Kontrollera art. nr. eller nyckelord
  • Använd kortare eller annat nyckelord
  • Sök på 1 art.nr. i taget
  • Använd 1 filter i taget
Produkter och tillverkare
Ytterligare frågor?