Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 5772.76 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-CGHV40200PP

Tillverk: Nr.:

CGHV40200PP

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

Datablad:

CGHV40200PP Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM CGHV40200PP

Leveransavisering:

Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

På lager: 39

Lager:: 39

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 50

Förväntad 2026-09-18
Fabrikens ledtid:: 26

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	5 772,76 kr	5 772,76 kr
	5 061,71 kr	50 617,10 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
Leveransrestriktioner:	Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	440199
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	8.7 A
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	- 3 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	166 W
Märke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Utvecklingskit:	CGHV40200PP-AMP1
Förstärkning:	16.1 dB
Maximal driftsfrekvens:	1.9 GHz
Minsta driftfrekvens:	1.7 GHz
Utgångseffekt:	250 W
Förpackning:	Tray
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 10 V, 2 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CGHV40200PP Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: USA
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.