Resultat: 14
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn Förpackning
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD 668På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET:er N-channel 600V, 10A FDMesh II 498På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 600 Volt 20 Amp 5 400På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR 946På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A 1 190På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 500 Volt 20 Amp 375På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 500 Volt 20 Amp 520På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 53 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 500 Volt 20 Amp 2 058På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR 857På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD 169På lager
600Förväntad 2026-03-05
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A 107På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 600 Volt 20 Amp 235På lager
600Förväntad 2026-02-10
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 37 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET:er N-channel 600V, 10A FDMesh II Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET:er N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube