Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

QPD1016L

Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 13398.28 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-QPD1016L

Tillverk: Nr.:

QPD1016L

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

Datablad:

QPD1016L Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo QPD1016L

På lager: 1

Lager:: 1 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 1 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	13.398,28 kr	13.398,28 kr
	11.907,27 kr	119.072,70 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	NI-780
Transistorns polaritet:	P-Channel
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	1 A
Pd - Effektavledning:	714 W
Märke:	Qorvo
Förstärkning:	18 dB
Maximal dränerings-styrspänning:	50 V
Maximal driftsfrekvens:	1.7 GHz
Minsta driftfrekvens:	0 Hz
Fuktkänsliga:	Yes
Utgångseffekt:	537 W
Förpackning:	Waffle
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	QPD1016L
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

QPD1016L Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD1016L GaN RF Transistor

Qorvo QPD1016L GaN RF Transistor is a 500W (P3dB) pre-matched discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from DC to 1.7GHz. The QPD1016L provides a linear gain of 18dB at 1.3GHz and features a drain efficiency of 67% at 3dB compression. The device can support pulsed and linear operations.