Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NCV57001FDWR2G

Name: onsemi NCV57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001FDWR2G
Price: 41.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NCV57001FDWR2G

Tillverk: Nr.:

NCV57001FDWR2G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Datablad:

NCV57001FDWR2G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NCV57001FDWR2G

På lager: 1 187

Lager:: 1 187 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	41,31 kr	41,31 kr
	23,98 kr	239,80 kr
	23,76 kr	594,00 kr
	22,02 kr	2.202,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	22,02 kr	22.020,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar
RoHS-direktivet:
Serie:	NCV57001FDWR2G
Monteringsstil:	SMD/SMT
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Stigtid:	10 ns
Falltid:	15 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Antal drivenheter:	1 Driver
Antal utgångar:	1 Output
Utgångsström:	4 A
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkttyp:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Maximal matningsspänning:	5 V
Minimal matningsspänning:	3.3 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NCV57001FDWR2G Datablad

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.