Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L 155På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L 128På lager
450Förväntad 2026-02-20
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC