Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FF06MR12A04MA2AKSA1

Name: Infineon FF06MR12A04MA2AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF06MR12A04MA2AK
Price: 2192.75 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-FF06MR12A04MA2AK

Tillverk: Nr.:

FF06MR12A04MA2AKSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

Åtskilda halvledaremoduler HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

FF06MR12A04MA2AKSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies FF06MR12A04MA2AKSA1

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 120
Fabrikens ledtid:: 44

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	2.192,75 kr	2.192,75 kr
	1.868,91 kr	18.689,10 kr
120	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
RoHS-direktivet:
Produkt:	Modules
Typ:	1 N-Channel
Teknologi:	SiC
Vf - Framspänning:	5.15 V
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 20 V
Monteringsstil:	Press Fit
Paket/låda:	HybridPACK
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	53 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	190 A
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	14.5 mOhms
Stigtid:	25 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	120
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	CoolSiC
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	228 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	32 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.55 V
Del # Alias:	FF06MR12A04MA2 SP005558866

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FF06MR12A04MA2AKSA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET & NTC

Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET and NTC are high-performance power modules designed for demanding automotive applications, particularly in hybrid and electric vehicles (xEVs). This compact half-bridge module integrates silicon carbide (SiC) MOSFETs and an NTC thermistor, enabling superior efficiency and thermal performance. With a blocking voltage of 1200V and a nominal current rating of 190A, the modules support high-speed switching with low conduction and switching losses, thanks to the inherent advantages of SiC technology.