Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 27.14 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

512-FDB0250N807L

Tillverk: Nr.:

FDB0250N807L

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Datablad:

FDB0250N807L Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 800 Flera: 800

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	27,14 kr	21 712,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	240 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	143 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	214 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerTrench
Förpackning:	Reel
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	39 ns
Transkonduktans framåt - Min:	113 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	64 ns
Serie:	FDB0250N807L
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	79 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	45 ns
Enhetens vikt:	1,600 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FDB0250N807L Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDB0250N807L N-Channel MOSFET

onsemi FDB0250N807L N-Channel MOSFET uses the advanced PowerTrench^® process to minimize the on-state resistance. This process maintains superior ruggedness and switching performance for industrial applications. Features include fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability. The FDB0250N807L MOSFET is used in the industrial motor drives, power supplies, battery-operated tools, load switches, UPS, and energy inverters.