ASFET:ar för Repetitive Avalanche

Nexferia ASFET:ar för Repetitive Avalanche har en maximal dräneringsspänning från 40 VDS till 60 VDS , en maximal dräneringsström från 16ID till 40 iD och en gate-drain-laddning på 7,9 QGD. ASFET:arna är fullständigt fordonsgodkända för AEC-Q101 och erbjuder hög tålighet, tillförlitlighet och LFPAK-kapslingsteknik med kopparklämmor. Nexperias ASFET:ar för Repetitive Avalanche är perfekta för fordonssystem på 12, 24 och 48 V, upprepade lavintopologier och motorstyrningstillämpningar.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Förpackning
Nexperia MOSFET:er BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Datablad
1 189På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Datablad
2 196På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Datablad
2 106På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel